Хард диск Samsung SSD 990 EVO 2TB PCIe 4.0 NVMe 2.0 M.2 V-NAND TLC, 256-bit Encryption, Read 5000 MB/s Write 4200 MB/s - MZ-V9E2T0BW

Твърд диск SAMSUNG 990 EVO SSD 2TB M.2 NVMe PCIe MZ-V9E2T0BW

Производителност

Ъпгрейд до бърза скорост на последователно четене до 5 000 MB/s, което е с 43% по-бързо от предишния модел.

Енергийна ефективност

С до 70% по-висока енергийна ефективност в сравнение с предишния модел, поддържаща модерен режим на готовност и дълъг живот на батерията.

Гъвкавост

Повишете ежедневната производителност в игрите, бизнеса и творческата работа със съвместимост с PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2.

Изпреварваща скорост

990 EVO предлага повишена скорост на последователно четене/запис до 5000/4200 MB/s и скорост на произволно четене/запис до 700 хил./800 хил. IOPS, като достига до 43% по-висока скорост в сравнение с 970 EVO Plus 2TB. Намалете чакането при игрите и получете бърз достъп до големи файлове.

Интелигентно топлинно решение

Топлоразпределителният стикер на 990 EVO спомага за термичния контрол на NAND чипа. Авангардният алгоритъм за топлинен контрол на Samsung, съчетан с функцията Dynamic Thermal Guard, осигурява едновременно постоянна и надеждна производителност. Дръжте производителността си нагорещена до червено, а не устройството си.

Общи характеристики:

• Приложение: Клиентски компютри
• Капацитет: 2,000 GB
• Формат: M.2 (2280)
• Интерфейс: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
• Размери (ШxВxД): 80 x 22 x 2.38 мм
• Тегло: Максимум 9.0 г
• Памет: Samsung V-NAND TLC
• Контролер: Собствен контролер на Samsung
• Кеш памет: HMB (Host Memory Buffer)

Специални функции:

• TRIM поддръжка: Да
• S.M.A.R.T поддръжка: Да
• Garbage Collection (GC): Автоматичен алгоритъм за почистване
• Поддръжка на криптиране:
  • AES 256-bit Encryption (Class 0)
  • TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
• WWN поддръжка: Не
• Поддръжка на режим Device Sleep: Да

Производителност:

• Последователно четене: До 5,000 MB/s
• Последователно записване: До 4,200 MB/s
• Случайно четене (4KB, QD32): До 700,000 IOPS
• Случайно записване (4KB, QD32): До 800,000 IOPS
• Случайно четене (4KB, QD1): До 20,000 IOPS
• Случайно записване (4KB, QD1): До 90,000 IOPS
• Общ обем на запис (TBW): 1200 TBW

Околна среда:

• Средна консумация на енергия (системно ниво):
  • Четене: 4.9 W
  • Записване: 4.5 W
• Консумация на енергия в режим на изчакване: Типична 60 mW
• Консумация на енергия в режим Device Sleep: Типична 5 mW
• Допустимо напрежение: 3.3 V ± 5%
• Надеждност (MTBF): 1.5 милиона часа
• Работна температура: 0 - 70 ℃
• Устойчивост на удар: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)