Кат.№: 137651
Samsung ssd 990 evo plus 2tb pcie
До 7250 MB/s скорост на последователно четене, 45% по-висока скорост от предишния модел.
Енергийната ефективност е подобрена със 73% за повече MB/s на ват, като същевременноса запазени производителността и термичният контрол.
Разширен капацитет до 4 TB и бърз IntelligentTurboWrite 2.0 с увеличена област на TurboWrite.
Изпълнявай задачите по-бързо.
990 EVO Plus с най-новия NAND предлага повишени скорости на последователно четене/запис до 7250/6300MB/s.
Огромни файлове, незабавен трансфер.
Оптимизирана ефективност, разширена производителност.
Покритият с никел контролер увеличава MB/s на ват със 73%, постигайки същото ниво на мощност и термичен контрол с по-малко консумация на енергия.
Останисъсредоточен върху работата или играта без притеснения за прегряване или живота на батерията.
Използвай пълната мощност на своето устройство с подобрен Intelligent TurboWrite 2.0.
Обработвай масивни данни по-бързо и се справяй с тежки графики с увеличената област TurboWrite, която вече се предлага с капацитет 4 TB.
Накарай твоето SSD да работи като магия.
Инструментите за оптимизация на софтуера Samsung Magician осигуряват най-добра SSD производителност.
Това е безопасен и лесен начин да прехвърлиш всичките си данни за надграждане на Samsung SSD.
Защити ценни данни, наблюдавай изправността на устройството и получи най-новите актуализации на фърмуера.
В продължение на десетилетия NAND флаш паметта на Samsung захранва революционни технологии, които промениха всяка част от нашето ежедневие.
Тази NAND флаш технология захранва и нашите потребителски SSD, освобождавайки място за следващия голям тласък на иновациите.
| Manufacturer: | SAMSUNG |
| Manufacturer Part No: | MZ-V9S2T0BW |
| General | |
| Device Type: | Solid state drive - internal |
| Capacity: | 2 TB |
| Hardware Encryption: | Yes |
| Encryption Algorithm: | 256-bit AES |
| NAND Flash Memory Type: | Triple-level cell (TLC) |
| Form Factor: | M.2 2280 |
| Interface: | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Features: | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Device Sleep support, Host Memory Buffer (HMB), TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Width: | 22.15 mm |
| Depth: | 80.15 mm |
| Height: | 2.38 mm |
| Weight: | 9 g |
| Performance | |
| Internal Data Rate: | 7250 MBps (read) / 6300 MBps (write) |
| Maximum 4KB Random Write: | 1350000 IOPS |
| Maximum 4KB Random Read: | 1000000 IOPS |
| Reliability | |
| MTBF: | 1.500.000 hours |
| Expansion & Connectivity | |
| Compatible Bay: | M.2 2280 |
| Power | |
| Power Consumption: | 4.6 Watt (read) 4.2 Watt (write) 60 mW (standby) 5 mW (sleep) |
| Software & System Requirements | |
| Software Included: | Samsung Magician Software |
| Miscellaneous | |
| Enclosure Material: | Nickel coating |
| Manufacturer Warranty | |
| Service & Support: | Limited warranty - 5 years / 1200 TBW |
| Environmental Parameters | |
| Min Operating Temperature: | 0 °C |
| Max Operating Temperature: | 70 °C |
| Shock Tolerance (non-operating): | 1500 g @ 0.5 ms |
| Vibration Tolerance (non-operating): | 20 g @ 20-2000 Hz |
(0)
0 от 5 звезди
